On contrôle la quantité d'impuretés que l'on mélange au Si. On a un semi conducteur dopé.
Si l'impureté est "trivalente" c'est le cas du bore (B). Il manque un électron par atome de B. Il y a des trous marqués par les rectangles blancs.
Le cristal sera conducteur par trous: la troisième ligne montre la migration du trou. Ce sont pourtant bien des électrons qui se déplacent mais ils ne transportent pas la charge électrique.
Lorsque le dopage est fait par des atome "pentavalents" [c'est le cas du phosphore (P)] il y a des électrons en trop, ils sont hors des liaisons covalentes et peuvent se déplacer dans la "bande de conduction"
Le courant électrique est un flux de porteurs de charges qui se déplacent d'un mouvement d'ensemble sous l'influence d'un champ électrique.
Dans un semi-conducteur, il n'y a pas de porteur de charge à la température ordinaire et dans une pureté parfaite.
Par exemple le silicium qui a une structure de Lewis identique à celle du carbone (qui est un isolant remarquable sous sa forme "diamant") est isolant à température ordinaire.
Si on le chauffe, quelques électrons vont accéder à la bande de conduction et le semi conducteur va devenir un médiocre conducteur de l'électricité.
La conductivité va augmenter avec la température. Pourquoi cela ne fonctionne-t-il pas avec C ? Parce que le GAP pour le diamant est trop important.